半导体自旋电子学-西安交通大学图书馆

半导体自旋电子学

发布日期:2009-03-18 浏览次

[内容提要]
本书介绍了半导体自旋电子学的一些基本概念和国际国内的研究成果，其中包括：半导体中磁离子的性质、稀磁半导体中巨Zeeman分裂、铁磁半导体的居里温度、自旋极化电子的注入、自旋弛豫、Rashba效应和Dresselhaus效应、半导体电子自旋的光学响应、自旋极化电子和磁畴的输运、量子点和量子线中电子的自旋性质等。特别是介绍了最近国际上最新研究成果??自旋相干电子的操控，包括：自旋相干电子的空间运动、自旋霍耳效应、自旋流的产生、自旋动力学等。
本书可供大学物理系高年级本科生、研究生和从事半导体自旋电子学研究的科研工作者使用。
[目录]
第0章绪论
0.1 自旋电子学的起源??巨磁阻效应器件
0.2 自旋电子学应用的新材料
0.3 自旋电子注入和白旋输运
0.3.1 欧姆注入
0.3.2 隧道注入
0.3.3 弹道电子注入
0.3.4 利用稀磁半导体在磁场下的巨Zeeman分裂效应
0.3.5 利用铁磁半导体作为自旋校准器
0.3.6 光学方法产生自旋极化电子
0.4 半导体和纳米结构中自旋相干的光学调控
0.4.1 自旋寿命的延长
0.4.2 自旋通过异质结界面的相干输运
0.4.3 自旋相干态的空间分辨
0.5 自旋电子器件
0.5.1 自旋发光二极管
0.5.2 铁磁场效应晶体管
0.5.3 铁磁半导体隧道结
参考文献
第1章半导体中稀磁离子的性质
1.1 磁离子电子的组态
1.2 自由磁离子的基态在晶格场中的分裂
1.3 晶格场理论
1.4 多电子态波函数
1.5 等价算符方法
1.6 半导体中的磁离子能级
1.7 半导体磁离子性质的实验研究
参考文献
第2章稀磁半导体的性质
2.1 磁场下半导体的有效质量理论
2.2 宽禁带稀磁半导体
2.2.1 宽禁带半导体的磁能级
2.2.2 稀磁半导体的磁相互作用
2.2.3 纤锌矿结构的稀磁半导体
2.2.4 实验观测
2.3 窄禁带稀磁半导体
2.3.1 窄禁带半导体的磁能级
2.3.2 Hg1-xMnxTe的磁光谱
2.4 稀磁半导体微结构
2.4.1 稀磁半导体超晶格，磁场垂直于界面
2.4.2 稀磁半导体超晶格，磁场平行于界面
2.4.3 稀磁半导体量子点
2.4.4 磁极化子效应
2.4.5 稀磁半导体量子线
2.5 稀磁半导体的输运性质
2.6 Fe2+离子的稀磁半导体，van Vleck磁性
2.7 巨Faraday和Kerr旋转
2.7.1 磁性半导体的磁光性质
2.7.2 磁性半导体中的时间分辨Faraday和Kerr旋转
2.8 光致磁化
参考文献
第3章铁磁半导体
3.1 铁磁半导体Ga1-xMnxAs
3.2 其他铁磁半导体
3.3 费米能级工程
3.4 团簇对铁磁性的影响
3.5 铁磁半导体量子点
3.6 铁磁半导体的平均场理论
3.6.1 铁磁性的微观理论
3.6.2 稀磁半导体中的磁相互作用
3.6.3 铁磁半导体量子线，量子板
3.6.4 铁磁半导体量子点
3.6.5 铁磁半导体能带结构的第一性原理计算
参考文献
第4章自旋极化电子的注入
4.1 半导体中电子自旋的寿命和漂移
4.2 半导体自旋晶体管
4.3 Rashba效应
4.3.1 Rashba效应的产生根源
4.3.2 Rashba系数的实验测量
4.3.3 Rashba系数的理论计算
4.4 自旋极化电子流的产生和输运
4.4.1 自旋电子通过半导体异质界面的相干输运
4.4.2 自旋极化电子的注入(实验)
4.4.3 自旋极化电子的注入(理论)
4.5 磁性半导体隧穿结
4.5.1 GaAs／GaMnAs异质结基本性质
4.5.2 铁磁／非磁／铁磁三层结构性质
4.5.3 铁磁金属和半导体接触
参考文献
第5章自旋弛豫
5.1 自旋弛豫时间T1和T2
5.2 自旋弛豫的主要机制
5.2.1 EY机制
5.2.2 DP机制
5.2.3 DP机制，在单轴形变晶体中的自旋弛豫
5.2.4 BAP机制
5.2.5 EY，DP和BAP机制的比较
5.3 III?V族化合物中自旋弛豫的实验和理论研究
5.3.1 光学取向方法
5.3.2 InSb中的自旋弛豫(EY机制)
5.3.3 GaAs中的自旋弛豫(DP机制)
5.3.4 GaAs中的自旋弛豫(BAP机制)
5.3.5 自旋弛豫率与受主浓度的关系
5.4 量子阱中的自旋弛豫
参考文献
第6章 Rashba效应与Dresselhaus效应
6.1 反演非对称半导体体系中自旋轨道相互作用导致的自旋分裂??Rashba效应和Dresselhaus效应
6.1.1 有效质量近似
6.1.2 Dresselhaus效应概述
6.1.3 相对论量子力学推导
6.2 Rashba系统中的自旋-轨道耦合哈密顿
6.3 Rashba效应与能带色散
6.4 Rashba参数α
6.4.1 k.p公式
6.4.2 用k.p方法处理自旋-轨道相互作用
6.4.3 八带模型
6.4.4 五能级模型(以GaAs为例)
6.5 从Shubnikov-de Haas振荡获取Rashba参数α
参考文献
第7章半导体中电子自旋的光学响应
7.1 光子的自旋
7.2 半导体中光学跃迁的自旋守恒
7.2.1 光跃迁选择定则
7.2.2 分裂能带下的光激发
7.3 自旋分裂系统中光注入电子自旋引发的自旋光电流
7.3.1 圆偏光电流效应(CPGE)
7.3.2 自旋光电流效应(SGE)
7.4 自旋分裂系统中电场导致电子自旋极化
7.5 Rashba效应与Dresselhaus效应的实验区分及应用
7.6 旋光电子器件
7.6.1 Rashba和Dresselhaus综合效应自旋场效应晶体管
7.6.2 自旋光源??发光二极管和激光器
7.6.3 以传导电流探测自旋流
参考文献

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